第二章 固体物理导论

p1：晶体结构（点阵/晶胞）p2：晶体结构（晶面指数/衍射/倒易点阵）p3：晶体衍射/倒易点阵/自由电子模型p4：自由电子模型/准自由电子/能带

(资料图片仅供参考)

第三章 半导体中的电子状态

p5：有效质量/半导体的导电机构/回旋共振与等能面/硅锗的能带结构

第四章 半导体中杂质和缺陷能级

p6：硅/锗的杂质能级

第五章 半导体载流子的平衡态统计分布

p7：硅/锗的深能级杂质p8：本征半导体载流子的统计

第六章 半导体中载流子的输运

p9：载流子的漂移运动/散射p10：迁移率与杂质浓度和温度的关系/强电场下的运输

第七章 非平衡载流子

p11：非平衡载流子的注入/准费米能级/复合理论p12：间接复合/陷阱效应p13：载流子的扩散运动/漂移运动/双极扩散

第八章 p-n结

p14：平衡p-n结基本特性p15：p-n结电流电压特性p16：p-n结电流电压特性（非平衡偏压下）p17：p-n结电容/击穿/隧道效应

第九章 金属-半导体接触

p18：金属半导体接触能带图和整流运输理论p19：金属半导体接触的整流运输理论/少子注入和欧姆接触

第十章 半导体表面与MIS结构

p20：表面态概念/表面电场效应p21：表面电场效应p22：表面电场效应/Si-SiO2系统的性质p23：MIS结构的C-V特性

第十一章 异质结 霍尔效应

p24：表面电导及迁移率